什么叫欧姆接触？请问各位

欧姆接触指的是它不产生明显的附加阻抗,而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻,而且该电阻越小越好,使得组件操作时,大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。

欧姆接触

金属与半导体接触时可以形成非整流接触，即欧姆接触，这是另一类重要的金属－半导体接触。欧姆接触是指这样的接触：它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从电学上讲，理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比应当很小，当有电流流过时，欧姆接触上的电压降应当远小于样品或器件本身的压降，这种接触不影响器件的电流一电压特性，或者说，电流一电压特性是由样品的电阻或器件的特性决定的。

金半接触的特性与半导体的导电类型(N型或P型)以及金属和半导体的逸出功的相对大小有关。逸出功又称为功函数，它是使电子从材料(半导体或金属)体内进入真空所必须赋予电子的能量。确切地说：功函数表示恰好使一个电子从材料的费米能级进入材料外表面真空中，且处于静止状态(动能为0)所需的能量，图1中把电子在真空中的静止状态表示为真空能级，用(EF)M和(EF)S分别代表金属和半导体的费米能级，用W和W分别代表金属和半导体的功函数，半导体导带底与真空能级的能量差用Xs表示(称为半导体的电子亲和能)。

什么叫欧姆接触和肖特基接触？

欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。

势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。扩展资料：肖特基接触到欧姆接触的转变：二维 (2D) InSe具有高达10^3 cm^2·V^-1·s^-1的电子迁移率，可以与黑磷相媲美，且能够在空气中稳定存在。在实际应用中，2D InSe需要与金属电极直接接触以实现载流子的注入。

然而，接触界面会形成有限的肖特基势垒，其降低了载流子的注入效率，增大了接触电阻，从而极大的削弱了器件性能。因此，通过调节接触界面的势垒高度来形成低电阻欧姆接触，对高性能半导体器件的设计，组装和制造至关重要。

请问各位，欧姆接触与肖特基接触有什么不同？如何区别？

1.定义不同欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。

势垒的存在才导致了大的界面电阻。
2.势垒不同欧姆接触的界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。而肖特基接触存在较大的接触势垒。
3.形成条件不同欲形成欧姆接触，有两个先决条件：一是金属与半导体间有低的势垒高度，二是半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3)。

前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性。在界面处半导体的能带发生弯曲，形成一个高势能区，这就是肖特基垒。

电子必须高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。

[Tips]什么是欧姆接触?

　欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：（1）金属与半导体间有低的界面能障(Barrier Height)（2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3)前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使界面空乏区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。

欧姆接触是如何形成的？

欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：（1）金属与半导体间有低的界能障碍。（2）半导体有高浓度的杂质掺入。

扩展资料：半导体重掺杂时，它与金属的接触近似地有线性的和对称的电流一电压关系，并且有较小的接触电阻，因而是接近理想的欧姆接触。制作欧姆接触最常用的方法是，用重掺杂的半导体与金属接触，例如金属-n+-n和金属-p+-P结构。由于有n+、p+层，金属的选择就比较自由，可以考虑工艺上以及使用要求上的问题。形成金属与半导体接触的方法有许多种，例如蒸发、溅射、电镀等等。

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