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静电释放的模式有那几种?静电放电有哪几种形式

最佳回答2022-12-02

静电释放有以下三种模式1、带电的人体的放电模式:由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦,又与元器件接触,所以人体易带静电,也容易对元器件造成静电损伤。普遍认为大部分元器件静电损伤是由人体静电造成的。2、带电机器的放电模式:机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。机器放电的模型与人体模式相比,机器没有电阻,电容则相对要大。3、充电器件的放电模式:在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦,壳体会带静电。

静电释放的模式有那几种

静电释放静电释放静电释放(ESD)是一种形式的玷污,它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移,可能损坏微芯片。ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩擦称为静电。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几万伏。

静电释放的模式有那几种

基本介绍半导体制造中特别容易产生静电释放,因为硅片加工保持在较低的温度中,经典条件为40%±10%相对湿度(RH)。这种条件容易使较高级别的静电荷生成。虽然增加相对湿度可以减少静电生成,但是也会增加侵蚀带来的玷污,因而这种方法并不实用。

静电放电有哪三种模式?

常见的静电放电模式:1. HBM,人体放电模型,即带电人体对器件放电,导致器件损坏。放电途径为:人体——器件——地。

放电途径为:机器——器件——地。3.CDM,带电器件模型,即带电器件直接对敌放电。放电途径为:器件——地。4.FICDM,感应放电模型,即器件感应带电后放电。

途经:电场——器件带电——地。1.HBM:Human Body Model,人体模型:该模型表征人体带电接触器件放电,Rb 为等效人体电阻,Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。

图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。ESD人体模型等效电路图及其ESD等级2.MM:Machine Model,机器模型:机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是 200pF,等效电阻为 0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。

ESD机器模型等效电路图及其ESD等级3.CDM:Charged Device Model,充电器件模型:半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传 递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。

CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的,器件带电模型如下:ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试,大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据,一般给出的是 HBM 和 MM。通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性,但要注意,器件的每个管脚的 ESD 特性差异较大,某些管脚的 ESD 电压会特别低,一般来说,高速端口,高阻输入端口,模拟端口 ESD电压会比较低。

静电放电有哪几种形式

带电人体的静电放电模式、带电机器的放电模式和充电器件的放电模式等三种模式1.带电的人体的放电模式(HBM)由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦,又与元器件接触,所以人体易带静电,也容易对元器件造成静电损伤。普遍认为大部分元器件静电损伤是由人体静电造成的。

其中,Vp带静电的人体与地的电位差,Cp带静电的人体与地之间的电容量,一般为50-250pF;Rp人体与被放电体之间的电阻值,一般为102-105Ω人体与被放电体之间的放电有两种。即接触放电和电弧放电。接触放电时人体与被放电之间的电阻值是个恒定值。电弧放电是在人体与被放电体之间有一定距离时,它们之间空间的电场强度大于其介质(如空气)的介电强度,介质电离产生电弧放电,暗场中可见弧光。

电弧放电的特点是在放电的初始阶段,因为空气是不良导体,放电通道的阻抗较高,放电电流较小;随着放电的进行,通道温度升高,引起局部电离,通道阻抗逐渐降低,电流增大,直至达到一个峰值;然后,随着人体静电能量的释放,电流逐渐减少,直至电弧消失.2.带电机器的放电模式机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。机器放电的模型(MachineModel)如图1.6所示。

与人体模式相比,机器没有电阻,电容则相对要大。3.充电器件的放电模型(CDM)在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦,壳体会带静电。一旦元器件引出腿接地时,壳体将通过芯体和引出腿对地放电。

这种形式的放电可用所谓带电器件模型(Charged-DeviceModel,CDM)来描述。下面以双极型和MOS型半导体器件为例给出静电放电的等效电路。

静电放电有哪几种形式?

静电放电形式与带电体的几何形状、电压和带电体的材质有关。静电放电形式:电晕放电(1)电晕放电:是发生在带电体尖端或曲率半径很小处附近的局部放电。

电晕放电一般没有引燃危险。刷形放电和传播型刷形放电(2)刷形放电和传播型刷形放电:都是发生在绝缘体表面的有声光的多分支放电。当绝缘体背面紧贴有金属导体时,绝缘体正面将出现传播型刷形放电。同一绝缘体上可发生多次刷形放电或传播型刷形放电。

刷形放电有一定的引燃危险;传播型刷形放电的引燃危险性大。火花放电(3)火花放电:是带电体之间发生的通道单一的放电。火花放电有明亮的闪光和有短促的爆裂声。

其引燃危险性很大。雷型放电(4)雷型放电:是悬浮在空间的大范围、高密度带电粒子形成的闪电状放电。其引燃危险性很大。

静电释放的模式有那几种

静电对电子产品的损害有多种形式,其中最常见、危害最大的是静电放电(ESD)。带静电的物体与元器件有电接触时,静电会转移到元器件上或通过元器件放电;或者元器件本身带电,通过其它物体放电。

实际过程中静电的来源有很多,放电的形式也有多种。但通过对静电的主要来源以及实际发生的静电放电过程的研究认为,对元器件造成损伤的主要是三种模式,即带电人体的静电放电模式、带电机器的放电模式和充电器件的放电模式。图1.3和1.4分别是人体放电和充电器件放电的实例图。1.带电的人体的放电模式(HBM) 由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦,又与元器件接触,所以人体易带静电,也容易对元器件造成静电损伤。

普遍认为大部分元器件静电损伤是由人体静电造成的。带静电的人体可以等效为图1.5的等效电路,这个等效电路又称人体静电放电模型(Human Body Model)。其中,Vp带静电的人体与地的电位差,Cp带静电的人体与地之间的电容量,一般为50-250pF;Rp人体与被放电体之间的电阻值,一般为102-105Ω 人体与被放电体之间的放电有两种。

即接触放电和电弧放电。接触放电时人体与被放电之间的电阻值是个恒定值。电弧放电是在人体与被放电体之间有一定距离时,它们之间空间的电场强度大于其介质(如空气)的介电强度,介质电离产生电弧放电,暗场中可见弧光。

电弧放电的特点是在放电的初始阶段,因为空气是不良导体,放电通道的阻抗较高,放电电 流较小;随着放电的进行,通道温度升高,引起局部电离,通道阻抗逐渐降低,电流增大,直至达到一个峰值;然后,随着人体静电能量的释放,电流逐渐减少,直至电弧消失. 2.带电机器的放电模式 机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。机器放电的模型(Machine Model)如图1.6所示。

与人体模式相比,机器没有电阻,电容则相对要大。 3.充电器件的放电模型 (CDM) 在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦,壳体会带静电。一旦元器件引出腿接地时,壳体将通过芯体和引出腿对地放电。这种形式的放电可用所谓带电器件模型(Charged-Device Model,CDM)来描述。

下面以双极型和MOS型半导体器件为例给出静电放电的等效电路。 双极型器件的CDM等效电路如图1.7(a)所示,Cd为器件与周围物体及地之间的电容,Ld为器件导电网络的等效电感,Rd为芯片上放电电流通路的等效电阻。串联着的Rd、Cd和Ld等效于带电器件。开关S合上表示器件与地的放电接触,接触电阻为Rc。

MOS器件的CDM等效电路如图1.7(b)所示。由于MOS器件各个管腿的放电时间长短相差很大,所以要用不同的放电通路来模拟,每条放电通路都用其等效电容、电阻和电感来表示。当开关S闭合而且有任一个管腿接地时,各通路存储的电荷将要放电。若在放电过程中,各个通路的放电特性不同,就会引起相互间的电势差。

这一电势差也会造成器件的损坏,如栅介质击穿等。 器件放电等效电容Cd的大小和器件与周围物体之间的位置及取向有关,表1.7给出了双列直插封装器件在不同取向时的等效电容值,可见管壳的取向不同,电容可相差十几倍,因而其静电放电阈值可以有显著差别。

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